Принципиальным требованием к создаваемым в мире устройствам спинтроники является возможность достижения и сохранения при комнатной температуре высокой спиновой поляризации электронов. Важным шагом в решении этой задачи явился фундаментальный результат, полученный в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. Суть его состоит в открытии того, что в твердых растворах GaAs_1-xN_x при комнатной температуре оптическая спиновая поляризация электронов достигает 90% и сохраняется дольше 1 наносекунды, превышая на порядок время спиновой релаксации свободных электронов. Установлено, что рекордно высокие значения поляризации и спиновой памяти обусловлены эффектом формирования нелинейной связанной системы свободных и локализованных спинов, в основе которого лежит спин-зависимый захват свободных электронов на глубокие парамагнитные центры и их динамическая поляризация.