Построена теория магнитопроводимости электронов в полупроводниковых квантовых ямах высокой подвижности с сильным спин-орбитальным взаимодействием. Учитываются структурный и объемный спин-зависимые вклады в эффективный гамильтониан электронов. Конкуренция этих вкладов существенным образом модицифирует интерференцию носителей заряда, что проявляется в качественном изменении характера аномального магнитосопротивления структур. Показано, что в структурах высокого качества магнитосопротивление не описывается предыдущими теориями, в то время как разработанная нами модель описывает эксперименты, выполненные на гетероструктурах высокой подвижности в различных лабораториях мира.