Экспериментально и теоретически исследованы процессы спиновой релаксации электронов в полупроводниковых соединениях n-типа. Обнаружен новый механизм спиновой релаксации, обусловленный анизотропным обменным взаимодействием локализованных на донорах электронов, ограничивающий спиновую память при низких температурах. В высокотемпературной области, напротив, обнаружено удлинение времени жизни спина почти на два порядка по сравнению с предсказаниями существующей теории. Оба этих результата важны как для фундаментальной физики твердого тела, так и для приложений в спиновой электронике, где сохранение неравновесного электронного спина имеет принципиальное значение.