На основе гетерокомпозиций InAsSbP/InAs(Sb) созданы как одиночные, так и матричные флип–чип свето– и фотодиоды с отражающими контактами, внутренними концентраторами излучения и текстурированной поверхностью, включая поверхность с 2D фотонными кристаллами. Достижение высоких значений обнаружительной способности (D*>5Е¹⁰см^-1Гц^1/2Вт^-1) и яркости излучения (Т_а>1200К) в средней ИК области спектра (3-5 мкм) позволили использовать разработанные устройства в малогабаритных NDIR и оптоакустических ИК газоанализаторах, для измерений в ppm диапазоне концентраций.