Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 23563 |
Цитируемость | |
суммарная | 307108 |
на статью | 13,0 |
Индекс Хирша | 167 |
G-индекс | 279 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 26705 |
Цитируемость | |
суммарная | 334371 |
на статью | 12,5 |
Индекс Хирша | 175 |
G-индекс | 293 |
На основе гетерокомпозиций InAsSbP/InAs(Sb) созданы как одиночные, так и матричные флип–чип свето– и фотодиоды с отражающими контактами, внутренними концентраторами излучения и текстурированной поверхностью, включая поверхность с 2D фотонными кристаллами. Достижение высоких значений обнаружительной способности (D*>5Е10см-1Гц1/2Вт-1) и яркости излучения (Та>1200К) в средней ИК области спектра (3-5 мкм) позволили использовать разработанные устройства в малогабаритных NDIR и оптоакустических ИК газоанализаторах, для измерений в ppm диапазоне концентраций.