В полевых транзисторах на органических кристаллах достигнута подвижность свободных носителей заряда в канале до 100 см²/(Вс) и обнаружена универсальная зависимость от энергии интерфейсных электронных состояний у порога подвижности. При этом энергия состояний, определяющих подвижность, соизмерима с энергией тепловых колебаний молекул. На поверхности прозрачных диэлектрических кристаллов титаната стронция путём бомбардировки ионами аргона реализована возможность создания двумерного (толщина∼3 нм) металлического слоя с высокой подвижностью электронов.