В асимметричных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения в системе AlGaAs/GaAs/InGaAs со сверхшироким волноводом (1.7 мкм), изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии, удалось снизить величину внутренних оптических потерь до 0.34 см^-1. Получена генерация на основной поперечной моде за счет различия между пороговыми концентрациями (10-20%) для неё и мод высших порядков. На основе полученных гетероструктур в лазерах со 100 мкм апертурой и длиной резонатора Фабри–Перо ~ 3.5 мм достигнуты рекордная мощность излучения 16 Вт в непрерывном режиме генерации и максимальное значение КПД - 74 %.