Выполнены систематические экспериментальные и теоретические исследования резонансного рассеяния света на полярных оптических и акустических фононах в области фундаментального поглощения гексагонального InN. Установлено, что в образцах с большой концентрацией заряженных примесей определяющую роль играет двойной резонанс возбуждающего и рассеянного света с собственными электронными состояниями InN, в результате чего величины волновых векторов фононов, проявляющихся в спектре рассеяния 1-го порядка, однозначно определяются энергией возбуждающего фотона. Показано, что исследование зависимости спектра рассеяния от частоты возбуждающего света позволяет восстановить дисперсию полярных оптических и акустических ветвей в широкой области волновых векторов зоны Бриллюэна. Обычный метод определения дисперсионных кривых фононов по рассеянию медленных нейтронов в объемных монокристаллах не применим для тонких полупроводниковых пленок. Таким образом, в работе разработан новый оптический метод, с помощью которого получена уникальная информация о колебательном спектре практически важного и перспективного для использования в электронных и оптоэлектронных приборах полупроводникового соединения InN.