• Год:2011
    Авторы:Тарасенко,СА; Ивченко,ЕЛ; Бельков,ВВ; Ганичев,СД
    Подразделения:

    Открыт и исследован, теоретически и экспериментально, новый оптический эффект генерации долинных фототоков в многодолинных полупроводниках. В таких системах реализуется квантово-механическое распределение свободных носителей заряда, при котором потоки электронов в разных долинах различаются. При возбуждении линейно поляризованным светом кремниевых наногетероструктур, выращенных вдоль направления [111] и имеющих шесть эквивалентных долин, возникает электрический ток, направление которого осциллирует при вращении плоскости поляризации света. Такая зависимость обусловлена специфическими поляризационными зависимостями вкладов в фототок от каждой из долин. При возбуждении циркулярно поляризованным светом парциальные однодолинные фототоки складываются векторно так, что полностью компенсируют друг друга. Предложен и реализован метод регистрации таких чисто долинных токов.

    Рис. Поляризационная зависимость долииного фототока в (111) кремниевой структуре.