Предсказан новый эффект - генерация поперечного электрического тока при туннелировании спин-поляризованных электронов через нецентросимметричные полупроводниковые барьеры. Направление этого тока определяется спиновой ориентацией электронов и симметрийными свойствами барьера; в частности, ток меняет направление на противоположное, если спин носителей меняет знак. Микроскопическая природа такого «туннельного спин-гальванического эффекта» связана с зависимостью туннельной прозрачности барьера от электронного спина и волнового вектора. Показано, что возможен и обратный эффект - спиновая поляризация электронов, наклонно прошедших через барьер. Построена теория резонансного спин-зависимого туннелирования через двухбарьерные структуры, в которых спиновые эффекты значительно усиливаются. Такие туннельные структуры могут быть использованы в качестве спиновых фильтров и инжекторов.