Исследованы механизмы переноса излучения и искажение импульсов света в области сильной оптической дисперсии вблизи экситонных резонансов в широкозонных полупроводниках GaN и ZnO. Обнаружена диффузия фотонов, вызванная резонансным рассеянием на экситонах, связанных на нейтральных донорах. Показана возможность получения «медленного света», скорость распространения которого менее 1% от скорости света в вакууме. Определены с повышенной точностью параметры свободных и связанных экситонов.