Название:	Спиновая когерентность кубитов на основе кремниевых вакансий в SiC
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - Физика и науки о космосе
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники; 02-340 Спектроскопия; 02-205 Нано- и микроструктуры
Тип:	иссл. международный
Руководитель(и):	Баранов,ПГ
Подразделения:	лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
Код проекта:	14-02-91344
Финансирование 2014 г.:	700 000
Финансирование 2015 г.:	700 000
Финансирование 2016 г.:	1000 000
Исполнители:	Бабунц,РА: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА) Бундакова,АП: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА) Ильин,ИВ: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА) Мохов,ЕН: лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН) Музафарова,МВ: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА) Солтамов,ВА: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА) Толмачев,ДО: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА) Успенская,ЮА: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)

Будут измерены времена спино-решеточной релаксации и спиновой когерентности для кремниевых вакансионных центров в карбиде кремния (SiC) при различных температурах в зависимости от политипа кристалла и изотопного состава. Будет использована схема оптической накачки спиновых подуровней с целью инициализации /считывания спиновых состояний и импульсные магнитно-резонансные методы для спиновой манипуляции. В экспериментах будет использована конфокальная и зондовая микроскопия для выполнения квантовых операций на одном спине кремниевой вакансии при комнатной температуре. Кремниевые вакансионные центры в SiC потенциально объединяют большую часть преимуществ различных твердотельных систем, которые рассматриваются как реалистичные кандидаты для выполнения квантовых вычислений на основе спиновых свойств. Это включает в себя оптическую инициализацию без необходимости приложения внешних магнитных полей. При этом ожидаются длинные времена спиновой когерентности в изотопно очищенных кристаллах при комнатных температурах и развитие микротехнологий на основе SiC. В случае успеха, наш проект продемонстрирует ожидаемый высокий потенциал карбида кремния в качестве материала для наноразмерных квантовых технологий и стимулировать дальнейшие исследования в этой области.