Название:	Физика и технология высоковольтных импульсных лавинных приборов субнаносекундного диапазона: теория и численный эксперимент
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	08 - фундаментальные основы инженерных наук
Научная дисциплина:	08-303 Сильноточная электроника и электроника больших мощностей; 02-430 Нелинейные колебания и волны, 02-202 Полупроводники
Ключевые слова:	полупроводниковая импульсная электроника, полупроводниковые ключи, задержанный ударно - ионизационный пробой, лавинные диоды, неравновесная электронно -дырочная плазма, нелинейная динамика
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Родин,ПБ
Подразделения:	лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
Код проекта:	17-08-01559
Финансирование 2017 г.:	700 000
Исполнители:	Иванов,МС: лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ) Подольская,НИ: лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ) Смирнова,ИА: лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ) Щербаков,АС: лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)

Проект направлен на численное и аналитическое моделирование кремниевых полупроводниковых структур, составляющих элементную базы современной импульсной электроники субнаносекундного диапазона. В фокусе исследования находится явление сверхбыстрого задержанного ударно-ионизационного пробоя, лежащее в основе функционирования уникальных высоковольтных обострителей импульсов с быстродействие менее 100 пс. Будут исследованы нелинейная пространственно -временная динамика генерации, накопления и рассасывания плотной электронно-дырочной плазмы при переключении прибора, а также технология производства полупроводниковых структур, оптимизированных для импульсных применений. Разработка аналитических моделей будет проведена совместно с моделированием транспортных и технологических процессов c помощь специализированного программного обеспечения SILVACO. Теоретические исследования будут проведены в тесном контакте с экспериментаторами и при постоянном сравнении результатов расчетов и эксперимента. Результатом проекта станет разработка теоретических основ явления субнаносекундного пробоя высоковольтных полупроводниковых структур в сильных электрических полях - яркого нелинейного явления, имеющего фундаментальный характер. Результаты данного проекта будут применимы не только к приборам на эффекте задержанного лавинного пробоя, но и ко всем лавинным ключам с оптическим запуском, а также лавинным транзисторам.