Название:	Энергетическая релаксация носителей заряда в полупроводниковых квантовых точках
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202Полупроводники 02-205Микроструктуры
Ключевые слова:	наноструктуры, квантовые точки, нанокристаллы, многофононные переходы, безызлучательные переходы, энергетическая релаксация, электрон-фононное взаимодействие, неравновесные процессы
Время действия проекта:	2007-2009
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Гупалов,СВ
Подразделения:	сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле (Тарасенко,СА)
Код проекта:	07-02-00469
Финансирование 2007 г.:	600000
Исполнители:	Кипа,МС: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС) Москаленко,АС: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС) Поддубный,АН: сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле (Тарасенко,СА) Прокофьев,АА : сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)

Краткая аннотация: Работа будет производиться по трем основным направлениям. 1. Теоретическое исследование новых механизмов энергетической релаксации носителей заряда в квантовых точках с участием как собственных уровней размерного квантования в квантовых точках, так и примесных уровней. Выявление наиболее эффективных механизмов энергетической релаксации для различных параметрических и температурных режимов. 2. Расчет темпов безызлучательных переходов для конкретных систем (нанокристаллы Si и халькогенидов свинца) с учетом их зонной структуры. 3. Выяснение роли размерного квантования фононов при вычислении темпов безызлучательных переходов