| Название: | Рост и магнитооптические исследования гетероструктур на основе InAs, предназначенных для спинтронных применений |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники 02-208 Магнитные явления |
| Ключевые слова: | спиновое расщепление, магнитное вымораживание, арсенид индия, донор, примесная зона |
| Время действия проекта: | 2006-2007 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Терентьев,ЯВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 06-02-17279 |
| Финансирование 2006 г.: | 350000 |
| Исполнители: |
Люблинская,ОГ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Мельцер,БЯ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Седова,ИВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Семенов,АН
Усикова,АА : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
|
Проект направлен на исследование электронных и оптических свойств классического узкозонного соединения InAs в условиях сильного легирования, когда среднее расстояние между примесями сопоставимо с боровским радиусом. Такая ситуация часто реализуется в гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). InAs является многообещающим кандидатом для применения в спинтронных приборах в качестве инжектора спин-поляризованных электронов благодаря большому g фактору электрона, как альтернатива разбавленным магнитным полупроводникам, требующим охлаждения до криогенных температур. Однако в настоящее время отсутствуют необходимые экспериментальные данные и адекватная теория, описывающие поведение примесной зоны в магнитном поле с учетом спинового квантования. В данном проекте предполагается проведение систематических экспериментальных исследований свойств примесной зоны эпитаксиального InAs методами магнитооптики, чувствительными к ориентации спина электрона, в широком диапазоне степени легирования и мощности возбуждения люминесценции. Описание спектра состояний электрона в примесной зоне, помимо магнитного квантования, будет учитывать вклад эффекта магнитного вымораживания и магнитоиндуцированного перехода полуметалл-диэлектрик. В результате выполнения проекта будет заложена необходимая экспериментальная и теоретическая база для создания методом МЛЭ спинтронных устройств на основе InAs.
