| Название: | Лазеры сине-зеленого спектрального диапазона 470-520 нм на основе обогащенных индием полупроводниковых наноструктур А3-нитридов, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники |
| Ключевые слова: | молекулярно-пучковая эпитаксия, плазменная активация азота, полупроводники, А3-нитриды, InGaN наноструктуры, фазовая сепарация, сегрегация, стимулированное излучение, p-i-n диод |
| Время действия проекта: | 2007-2008 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Иванов,СВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 07-02-12233 |
| Финансирование 2007 г.: | 1800000 |
| Исполнители: |
Беляев,КГ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Гронин,СВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Заморянская,МВ: лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ) Плотников,ДС: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Седова,ИВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Семенов,АН Шубина,ТВ : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) |












