Название:	Разработка новых подходов в характеризации перспективных материалов электронной техники
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-211 Взаимодействие рентгеновского, синхротронного излучений и нейтронов с конденсированным веществом 02-202 Полупроводники 02-204 Поверхность и тонкие пленки
Ключевые слова:	топография, фазовая радиография, реальная структура, дифракционные данные, компьютерная обработка
Время действия проекта:	2006-2008
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Шульпина,ИЛ
Подразделения:	лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)
Код проекта:	06-02-16244
Финансирование 2006 г.:	250000
Исполнители:	Аргунова,ТС: лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС) Ратников,ВВ: лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС) Щеглов,МП : лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)

дифрактометрии и фазовой (синхротронной) радиографии на основе разработки новых подходов к анализу данных и оптимального сочетания методов. Изучаются эффекты дифракции в кристаллах, содержащих разнообразные дефекты, позволяющие получать информацию в виде набора структурных параметров (фактора Дебая-Валлера, компонентов тензора микродисторсии, размеров областей когерентного рассеяния вдоль и по нормали к поверхности и др.). Разработанные методики применяются к совершенным кристаллам (в том числе Si большого диаметра), кристаллам с высоким коэффициентом поглощения рентгеновских лучей (GaSb, CdTe), кристаллам с необычными дефектами (микротрубками, SiC), разнообразным эпитаксиальным гетероструктурам (в том числе на основе нитридов), пористым материалам, наносистемам. Выполнение проекта повышает научный уровень структурных исследований перспективных материалов электронной техники.