Название:	Получение и исследование структур с квантовыми точками на основе политипов карбида кремния (SiC)
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники 02-204 Поверхность и тонкие пленки 02-205 Микроструктуры
Ключевые слова:	карбид кремния, сублимационная эпитаксия, политипизм, квантовые точки, квантово-размерные эффекты, рентгеновская дифрактометрия, электронная микроскопия, оптоэлектроника, атомносиловая микроскопия
Время действия проекта:	2004-2006
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Сорокин,ЛМ
Подразделения:	лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)
Код проекта:	04-02-16632
Финансирование 2004 г.:	350000
Исполнители:	Волкова,АА: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Дунаевский,МС: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ) Лебедев,АА: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Мосина,ГН: лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС) Петров,ВН: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ) Савкина,НС: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Стрельчук,АМ: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Трегубова,АС: лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС) Щеглов,МП : лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)

Целью проекта является развитие метода сублимационной гетерополитипной эпитаксии карбида кремния для создания квантовых точек (наноостровков) кубического политипа 3С-SiC на поверхности подложек гексагональных политипов 6H-SiC и 4Н-SiC. Структурное совершенство полученных гетероструктур будет исследовано дифракционными методами. Параметры квантовых точек и их распределение по размерам будут получены методами туннельной и атомно-силовой микроскопии, а также просвечивающей электронной микроскопией. На основе отобранных образцов с лучшим структурным совершенством будут разработаны прототипы приборных структур и исследованы их спектры фото- и электролюминесценции. Это позволит экспериментально определить положение энергетических уровней в квантовой яме и сравнить их с известными теоретическими оценками. Планируемое исследование позволит сделать заключение о перспективах применения структур с квантовыми точками на основе SiC в качестве источников излучения в сине-фиолетовой области спектра.