| Название: | Изучение роли собственных точечных дефектов в формировании структурных и оптических свойств слоев модифицированного кремния |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-212 Образование и структура кристаллов |
| Ключевые слова: | кремний, собственные точечные дефекты, дислокации, люминесценция |
| Время действия проекта: | 2008-2010 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Вдовин,ВИ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 08-02-00893 |
| Финансирование 2008 г.: | 500000 |
| Исполнители: |
Журавская,ИА
Казаков,ИП
Меженный,МВ
Павлов,ВФ
Резник,ВЯ
Рзаев,ММ
Соболев,НА: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Шек,ЕИ : лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
|
Проект посвящен изучению процессов образования протяженных структурных дефектов и природы дислокационной люминесценции в слоях монокристаллического кремния с высокой концентрацией собственных точечных дефектов (СТД). Основная идея проекта заключается в изучении роли СТД в процессах зарождения дислокаций и источников дислокационной люминесценции. Планируется изучить особенности зарождения дислокаций несоответствия в гетероэпитаксиальных структурах SiGe/Si(Ge) и формирования дислокационной структуры в ионноимплантированных слоях и тонких слоях Si, получаемых методом прямого термокомпрессионного соединения пластин. Общим свойством исследуемых материалов является пересыщение слоев кремния собственными точечными дефектами, возникающими в результате различных модифицирующих воздействий (низкотемпературный эпитаксиальный рост, радиационные дефекты, несовпадение узлов кристаллической решетки). В результате выполнения проекта будут получены новые знания, объясняющие экспериментально установленные значительные различия в формировании протяженных дефектов в кремнии, иплантированном атомами легких и тяжелый элементов, а также - в кремнии с различной кристаллографической ориентацией пластин; установлен механизм зарождения дислокаций в условиях прямого соединения пластин с одинаковой и различной кристаллографической ориентацией; проверена гипотеза образования центров дислокационной люминесценции в форме комплексов междоузельных атомов на дислокациях или вблизи них. Исследования слоев модифицированного кремния проводятся комплексно с использованием методов просвечивающей электронной микроскопии, рентгеновской дифрактометрии, оптической микроскопии в сочетании с селективным химическим травлением и фотолюминесценции. Новые знания расширят представления о фундаментальных закономерностях дефектообразования в полупроводниковых монокристаллических материалах, а также будут полезны для решения проблемы создания кремниевых светоизлучающих структур.
