| Название: | Электронные свойства и атомная структура границ раздела Cs/GaAs(100) с квантовыми точками, а также Cs,Ba/III-нитриды с поверхностными аккумуляционными зарядовыми слоями, индуцированными адсорбцией |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники 02-204 Поверхность и тонкие пленки |
| Ключевые слова: | полупроводники, III-нитриды, поверхность, электронные свойства, адсорбция, границы раздела, наноструктуры, кластеры, фазовые переходы, фотоэмиссионная спектроскопия |
| Время действия проекта: | 2004-2006 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Бенеманская,ГВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 04-02-17621 |
| Финансирование 2004 г.: | 300000 |
| Исполнители: |
Бесюлькин,АИ
Векшин,ВА: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Вихнин,ВС: лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
Крыжановский,АК: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Философов,НГ
Франк-Каменецкая,ГЭ
|
Фундаментальные проблемы физики поверхности, такие как природа электронного спектра поверхностных состояний и аккумуляционых зарядовых слоев, модификация свойств поверхности в процессе формирования интерфейсов, корреляция электронных и структурных свойств, 2D плазмонные моды, механизмы 2D фазовых переходов далеки от решения и являются особенно актуальными при современном переходе от микро к наноэлектронике. Наименее изученными являются поверхности III-нитридов и границы раздела металл/III-нитриды. Заявленные в проекте исследования опираются на новые эффекты, в частности, формирование поверхностных аккумуляционых зарядовых слоев, обнаруженных в 2003г. авторами проекта для GaN n-типа при адсорбции металлов. Проект посвящен исследованию, установлению природы и целенаправленной модификации электронных свойств поверхностей с различной атомной структурой, поверхностных аккумуляционных слоев, ультратонких поверхностных покрытий, 2D наноструктур и \"0\"-мерных объектов, сформированных в результате адсорбции металлов на поверхности III-нитридов - GaN(0001), AlN(0001), твердых растворов Ga1-xAlxN, а также на поверхности GaAs(100) с квантовыми точками InAs и на реконструированных поверхностях в ряду от GaAs(100)(2x8), обогащенной As, через промежуточные фазы реконструкции до GaAs(100)(4x2)-c(8x2), обогащенной Ga. В проекте атомный уровень достигается выбором методик исследования в сверхвысоком вакууме и использованием адсорбции в субмонослойном режиме в качестве зонда локальных и коллективных взаимодействий, возникающих при формировании ультратонких интерфейсов. Получение приоритетных результатов обусловлено также использованием оригина льных фотоэмиссионных методик с использованием линейно и циркулярно-поляризованного порогового возбуждения в сочетании с широко используемыми современными методами атомного разрешения АСМ, СТМ, ДМЭ. Планируемые экспериментальные и теоретические исследования будут проведены впервые в мировой практике.
