| Название: | Полупроводниковые гетероструктуры с асимметричными потенциальными барьерами для достижения высокой температурной стабильности лазерных диодов |
| Грантодатель: | СПбНЦ РАН |
| Время действия проекта: | 2010-2010 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Жуков,АЕ; Гордеев,НЮ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 1.3 |
| Финансирование 2010 г.: | 450 000 |













