| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
| Название: | Квазиподложки нитрида галлия для ультрафиолетовой оптоэлектроники: концепция эпитаксии на кремнии, свойства слоев и применение в светодиодах |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 08 |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники, 03-630 Фундаментальные основы создания новых металлических, керамических и композиционных материалов |
| Ключевые слова: | нитрид галлия, гетероэпитаксия, широкозонные полупроводники, подложки для светодиодов |
| Время действия проекта: | 2013-2015 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Бессолов,ВН |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 13-08-00074 |
| Финансирование 2013 г.: | 999000 |
| Исполнители: |
Виноградова,КА: сектор теории твердого тела (Романова,АЕ) Головатенко,АА: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Калинина,МГ Коненкова,ЕВ Родин,СН Сапега,ФВ: лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП) Середова,НВ: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) Спивакова,ДС Шарофидинов,ШШ : лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) |