Название:	Разработка нитрид-галлиевых детекторов рентгеновского излучения, работающих при комнатной температуре
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	08
Ключевые слова:	детекторы рентгеновского излучения, нитртд галлия, газофазная эпитаксия, полупроводниковые p- n структуры
Время действия проекта:	2013 - 201
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Жиляев,ЮВ
Подразделения:
Код проекта:	13-08-00796
Финансирование 2013 г.:	1000000
Исполнители:	Блондин,МИ Зеленин,ВВ Мохов,ЕН: лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН) Нагалюк,СС: лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН) Орлова,ТА Пантелеев,ВН Полетаев,НК Родин,СН

Целью проекта является разработка и изготовление детекторов рентгеновского излучения, работающих при комнатных температурах, на основе нитрида галлия с использованием подложек из нитрида алюминия . Проект является идейным продолжением работы по созданию детекторов рентгеновского излучения на арсениде галлия (РФФИ-, ? 10-08-00782-а , который успешно заканчивается в конце 2012г.). Наши разработки рентгеновских детекторов на основе арсенида галлия показали, что основным фактором ограничивающим параметры таких детекторов при комнатной температуре являются флуктуации плотности заряда, возникающие вследствие генерационно-рекомбинационных процессов и приводящие к сравнительно большим значениям темнового шума прибора. Уменьшения шумов можно добиться использованием материала с большей шириной запрещенной зоны. С другой стороны, успехи достигнутые в технологии получения нитрида галлия позволяют предложить его как альтернативный материал для создания детекторов рентгеновского излучения. Значение ширины запрещенной зоны GaN Eg?3.4 еВ более чем в два раза превышает ширину зоны арсенида галлия, что должно кардинальным образом улучшить ситуацию с шумами и радиационной стойкостью. Таким образом, можно рассчитывать, что на основе нитрида галлия возможно создание детектора рентгеновского излучения, работающего при комнатной температуре с параметрами, превосходящими детекторы на основе германия, кремния и арсенида галлия. Для изготовления детекторов рентгеновского излучения будет использована эпитаксиальная методика роста из газовой фазы и элементы пост-ростовой технологии (металлизация, отжиги, фотолитография). Будет проведено тестирование слоев и приборных структур. Результаты тестирования будут увязаны с использованными технологическими режимами. Будут выработаны рекомендации по изготовлению детекторов рентгеновского излучения на основе GaN.