Название:	Молекулярно-пучковая эпитаксия наногетероструктур в системе Zn(Mg,Cd)O для оптоэлектронных применений
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-202 Полупроводники
Ключевые слова:	молекулярно-пучковая эпитаксия, оксид цинка, р-легирование, твердые растворы, наноструктуры, квантовые ямы, наноколонны, рекомбинация, стимулированное излучение
Время действия проекта:	2008-2010
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Иванов,СВ
Подразделения:	лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Код проекта:	08-02-00953
Финансирование 2008 г.:	600000
Исполнители:	Гронин,СВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Лебедев,АВ Листошин,СБ Седова,ИВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Семенов,АН Сорокин,СВ Шубина,ТВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)

Проект, результаты которого важны для развития нового направления полупроводниковой оптоэлектроники на основе широкозонных оксидов, предполагает исследование механизмов эпитаксиального роста и легирования широкозонных соединений Zn(Mg,Cd)O, а также получение и исследование наногетероструктур (квантовых ям и наноколонн) на основе этих материалов. Высокопрецизионный метод молекулярно-пучковой эпитаксии, являющийся доминирующей технологией для данных вюртцитных материалов, будет использован для гетероэпитаксиального и гомоэпитаксиального роста слоев и структур на подложках с-сапфира и ZnO с целью выяснения основных факторов, определяющих тип и концентрацию структурных дефектов. В проекте будет использован комплекс современных методик исследования, применяемых как непосредственно в процессе роста, так и после него. Будут исследованы процессы локализации носителей заряда и излучения света в слоях и гетероструктурах. Планируется выяснение оптимального акцептора для ZnO (N, As, P или Sb), механизмов его встраивания и активации, а также установление природы компенсирующих донорных центров для воспроизводимого получения пленок ZnO р-типа. Важной задачей проекта станет исследование влияния точечных и протяженных дефектов на процессы рекомбинации и определение условий получения стимулированного излучения при оптической и инжекционной накачке.