| Название: | Создание и исследование фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения на основе соединений АЗВ5 |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 08 - ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ ИНЖЕНЕРНЫХ НАУК |
| Научная дисциплина: | 08-402 Возобновляемые источники и системы прямого преобразования энергии |
| Ключевые слова: | фотоэлектрический преобразователь, лазерное излучение, жидкофазная эпитаксия, мосгидридная эпитаксия, наногетероструктура |
| Время действия проекта: | 2012-2013 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Хвостикова,ОА |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 12-08-31033 |
| Финансирование 2012 г.: | 350000 |
| Исполнители: |
Левин,РВ
Паньчак,АН
Потапович,НС: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
Салий,РА
|
Целью проекта является разработка новых высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения, предназначенных для преобразования монохроматического излучения в широком диапазоне длин волн. Будут обоснованы принципы построения полупроводниковых систем преобразования лазерного излучения в электроэнергию, разработаны структуры и технология изготовления фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения. В частности, проект направлен на создание и повышение эффективности новых типов однопереходных фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения на основе соединений AlGaAs/GaAs, GaInPAs/InP, GaSb с использованием Брегговских отражателей. Полупроводниковые фотоэлектрические наногетероструктуры будут получены с помощью эпитаксии из жидкой фазы, химического осаждения из паров металлорганических соединений, диффузии из газовой фазы или комбинацией эпитаксиально-диффузионных методов.