| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Spin depolarization of holes and lineshape of the Hanle effect in semiconductor nanostructures
2009
, Phys. Rev. B, v.80, 11
ISSN: 1098-0121
Номер статьи:
#113301
Авторы:Andreev,SV; Namozov,BR; Koudinov,AV; Kusrayev,YG; Furdyna,JK
Авторы (ФТИ):Andreev,SV; Namozov,BR; Koudinov,AV; Kusrayev,YG DOI:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.113301 Scopus® times cited:7 Scopus® ID:2-s2.0-70350578697 Web of Science® times cited:8 Web of Science® ID:WOS:000270383200006
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.113301
Авторы:Andreev,SV; Namozov,BR; Koudinov,AV; Kusrayev,YG; Furdyna,JK
Авторы (ФТИ):Andreev,SV; Namozov,BR; Koudinov,AV; Kusrayev,YG DOI:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.113301 Scopus® times cited:7 Scopus® ID:2-s2.0-70350578697 Web of Science® times cited:8 Web of Science® ID:WOS:000270383200006
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.113301