Локальное легирование монослойного WSe2 на пьезоэлектрических подложках GaInP2 и GaN
2024
, ФТП, т.58, 8
XXVIII Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”; Нижний Новгород, Российская Федерация; 11-15 марта 2024
ISSN: 0015-3222
Страницы:
401 - 408
Авторы:Аксенов,ВЮ; Анкудинов,АВ; Власов,АС; Дунаевский,МС; Жмерик,ВН; Лебедев,ДВ; Лихачев,КВ; Перескокова,ВА; Минтаиров,АМ
Авторы (ФТИ):Аксенов,ВЮ; Анкудинов,АВ; Власов,АС; Дунаевский,МС; Жмерик,ВН; Лебедев,ДВ; Лихачев,КВ; Перескокова,ВА; Минтаиров,АМ
Подразделения:
Полный текст:https://doi.org/10.61011/FTP.2024.08.59198.6252H
Авторы:Аксенов,ВЮ; Анкудинов,АВ; Власов,АС; Дунаевский,МС; Жмерик,ВН; Лебедев,ДВ; Лихачев,КВ; Перескокова,ВА; Минтаиров,АМ
Авторы (ФТИ):Аксенов,ВЮ; Анкудинов,АВ; Власов,АС; Дунаевский,МС; Жмерик,ВН; Лебедев,ДВ; Лихачев,КВ; Перескокова,ВА; Минтаиров,АМ
Подразделения:
- лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)
- лаб. спин-фотонных полупроводниковых систем для квантовых технологий (Успенской,ЮА)
- лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
- лаб. оптики кристаллов и гетероструктур с экстремальной двумерностью (Торопова,АА)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
Полный текст:https://doi.org/10.61011/FTP.2024.08.59198.6252H













