21. Dzhioev,RI; Korenev,VL; Lazarev,MV; Sapega,VF; Gammon,D; Bracker,AS
Electrical control of optical orientation of neutral and negatively charged excitons in an n-type semiconductor quantum well. Phys. Rev. B, v.75, 3, 2007, ArtNo: #033317
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.75.033317

22. Джиоев,РИ; Аксянов,ИГ; Лазарев,МВ; Нинуа,ОА
Исследование эффекта Ханле по поперечной компоненте спиновой ориентации электронов в полупроводниках AIIIBV. ФТТ, т.48, 12, 2006, с. 2146 - 2150

23. Джиоев,РИ; Захарченя,БП; Лазарев,МВ; Ткачук,МН
Фильтрация электронов по спину в поле объемного заряда в GaAs/AlGaAs. ФТТ, т.47, 8, 2005, с. 1522 - 1527

24. Dzhioev,RI; Kavokin,KV; Korenev,VL; Lazarev,MV; Poletaev,NK; Zakharchenya,BP; Stinaff,EA; Gammon,D; Bracker,AS; Ware,ME
Suppression of Dyakonov-Perel spin relaxation in high-mobility n-GaAs. Phys. Rev. Lett., v.93, 21, 2004, ArtNo: #216402
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.93.216402

25. Dzhioev,RI; Korenev,VL; Lazarev,MV; Sapega,VF; Notzel,R; Ploog,K
Fine structure of excitons in quantum wires. NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry, v.119,
В книге (сборнике): OPTICAL PROPERTIES OF 2D SYSTEMS WITH INTERACTING ELECTRONS , 2003, p. 233 - 238
NATO Advanced Research Workshop on Optical Properties of 2D Systems with Interacting Electrons Location: ST PETERSBURG, RUSSIA Date: JUN 13-16, 2002

26. Джиоев,РИ; Кавокин,КВ
Безызлучательная рекомбинация и кинетика оптически ориентированных электронов на интерфейсе GaAs/AlGaAs. ФТТ, т.45, 9, 2003, с. 1566 - 1568

27. Джиоев,РИ; Захарченя,БП; Кавокин,КВ; Лазарев,МВ
Эффект Ханле в неоднородно легированном GaAs. ФТТ, т.45, 12, 2003, с. 2153 - 2160

28. Dzhioev,RI; Kavokin,KV; Korenev,VL; Lazarev,MV; Meltser,BY; Stepanova,MN; Zakharchenya,BP; Gammon,D; Katzer,DS
Low-temperature spin relaxation in n-type GaAs. Phys. Rev. B, v.66, 24, 2002, ArtNo: #245204

29. Dzhioev,RI; Korenev,VL; Merkulov,IA; Zakharchenya,BP; Gammon,D; Efros,AL; Katzer,DS
Manipulation of the spin memory of electrons in n-GaAs. Phys. Rev. Lett., v.88, 25, 2002, ArtNo: #256801

30. Dzhioev,RI; Korenev,VL; Zakharchenya,BP; Gammon,D; Bracker,AS; Tischler,JG; Katzer,DS
Optical orientation and the Hanle effect of neutral and negatively charged excitons in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells. Phys. Rev. B, v.66, 15, 2002, ArtNo: #153409

31. Джиоев,РИ; Захарченя,БП; Коренев,ВЛ; Гамон,Д; Катцер,ДС
Долгие времена спиновой памяти электронов в арсениде галлия. Письма ЖЭТФ, т.74, 3, 2001, с. 200 - 203

32. Korenev,VL; Dzhioev,RI; Lazarev,MV; Tkachuk,MN; Zakharchenya,BP
Fine structure of excitons and the Overhauser effect in quantum dots. v.81,
В книге (сборнике): OPTICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES. NATO SCIENCE SERIES, PARTNERSHIP SUB-SERIES 3: HIGH TECHNOLOGY , 2000, p. 431 - 434
NATO Advanced Research Workshop on Optical Properties of Semiconductor Nanostructures Location: JASZOWIEC, POLAND Date: JUN 12-16, 1999