Web of Science®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 17735
Цитируемость
суммарная 185833
на статью 10.5
Индекс Хирша 134
G-индекс 220
Scopus®
ФТИ в 2000–17 гг.
Статей 19339
Цитируемость
суммарная 195151
на статью 10.1
Индекс Хирша 138
G-индекс 228
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Сводка

Состоявшиеся защиты диссертаций

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год

Всего записей: 471
Четверг, 17 мая 2012
    
Подоскин,АА, ФТИ
 Лаб. Тарасова,ИС
Эффекты переключения мод в AlGaAs/InGaAs/GaAs полупроводниковых лазерах и интегрально-оптические модуляторы мощного излучения на их основе
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Арсентьев,ИН; Слипченко,СО
Четверг, 26 апреля 2012
    
Рейх,КВ, ФТИ
 Лаб. Вуля,АЯ
Влияние электрон-фононного взаимодействия на свойства поверхности наноалмазов
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности теоретическая физика (01.04.02), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Эйдельман,ЕД
Утверждена ВАК: 11 марта 2013, протокол: 127/нк
Четверг, 22 марта 2012
    
Орлова,ТС, ФТИ
 Лаб. Кардашева,БК
Микроструктура и электротранспортные свойства перовскитных оксидов переходных металлов
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: Д 002.205.01
Место выполнения работы: ФТИ
Утверждена ВАК: 28 января 2013, протокол: 23/нк
Четверг, 22 марта 2012
    
Солтамов,ВА, ФТИ
 Лаб. Баранова,ПГ
Электронная структура и спиновые свойства дефектов в широкозонных полупроводниках: нитриде алюминия и карбиде кремния
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: Д 002.205.01
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Баранов,ПГ
Утверждена ВАК: 28 декабря 2012, протокол: 772н/к
Четверг, 15 марта 2012
    
Усикова,АА, ФТИ
 Лаб. Иванова,СВ
Формирование и оптические свойства наноструктур на основе In-содержащих полупроводниковых соединений А3–В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Шубина,ТВ
Утверждена ВАК: 01 апреля 2013, протокол: 163/нк
Четверг, 15 марта 2012
    
Серебренникова,ОЮ, ФТИ
 Лаб. Яковлева,ЮП
Создание и исследование оптоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур A3B5
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Яковлев,ЮП
Утверждена ВАК: 01 апреля 2013, протокол: 163/нк
Четверг, 15 марта 2012
    
Потапович,НС, ФТИ
 Лаб. Андреева,ВМ
Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и): Андреев,ВМ
Утверждена ВАК: 28 декабря 2012, протокол: 772н/к
Четверг, 15 марта 2012
    
Гин,ДБ, ФТИ
 Лаб. Найденова,ВО
Применение ядерных методов гамма спектрометрии высокого разрешения для диагностики высокотемпературной плазмы
Диссертация на соискание ученой степени по специальности физика атомного ядра и элементарных частиц (01.04.16), совет: Д 212.232.16
Консультант: Пастернак,АА
firstback10prev 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 nextfrwd10last
© 2005-18 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Яндекс.Метрика