|
Основные достижения 2021 годаСпектр экситонных состояний в атомарно тонких слоях дихалькогенидов переходных металлов и его изменение под воздействием напряженийлаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
лаб. квантовой фотоники (Торопова,АА)
Спектр экситонных состояний в 2D слоях дихалькогенидов переходных металлов включает оптически разрешенные (светлые) и запрещенные (темные) экситоны. Нами впервые было проведено исследование влияние напряжений на знак и величину расщепления между ними для серий прямых и непрямых в k-пространстве экситонов в монослоях и бислоях MoS2. Величина и тип напряжений, вносимых при штамп-переносе слоев на планарные или профилированные подложки, определялись по сдвигу рамановских мод. Спектроскопия микро-фотолюминесценции с временным разрешением была использована для определения температурных зависимостей затухания быстрых и медленных компонент излучения. Анализ результатов с учетом того, что характерные времена затухания увеличиваются с ростом температуры, когда верхнее состояние темное, и уменьшаются, когда оно светлое, позволил определить взаимное расположение экситонных состояний и оценить его влияние на общую интенсивность излучения. К примеру, светлое состояние оказалось самым низким для К-К′ серии в ненапряженном монослое, причем расщепление между темным и светлым уровнями не превышает 2 мэВ, как было предсказано теорией. Однако оно может увеличиться в несколько раз при сжатии и изменить знак на противоположный в случае растягивающих напряжений.
Иллюстрации
Направление ПФНИ 1.3.5.2. Проект РНФ 19-12-00273. Исследуемые образцы изготавливались в ФТИ им. А.Ф. Иоффе и в TU Ilmenau, Германия. Публикации
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|