|
Основные достижения 2021 годаВлияние температуры облучения на радиационную стойкость приборов на основе SiCлаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
Впервые исследовано влияние высокотемпературного электронного и протонного облучения на характеристики силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния. Промышленные 4H-SiC интегральные диоды Шоттки (JBS) с блокирующим напряжением 1700 В облучались электронами с энергией 0,9 МэВ и протонами с энергией 15 МэВ при температурах от 20 до 500°С в диапазоне доз Φ от 1×1016 см-2 до 1,3×1017 см-2 (электроны) и от 7×1013 до 2×1014см-2 (протоны). Показано, что радиационная стойкость диодов при высокотемпературном («горячем») облучении значительно превышает стойкость диодов при стандартном низкотемпературном («холодном») облучении. При повышении температуры облучения от 23 до 500°С изменение сопротивления базы при той же дозе уменьшается на 5 порядков. Полученный результат подтверждает перспективность SiC для создания приборов высокотемпературной и радиационно-стойкой электроники.
Иллюстрации
Направление ПФНИ 1.3.2.10. Тема Госзадания ФТИ им. А.Ф. Иоффе 0040-2019-0014. Публикации
|
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|