Разработана технология получения однородных арсенид галлиевых P–I–N структур большой площади (2 дюйма) с концентрацией остаточной примеси в чистом i–слое ND– NA<10¹²см^-3. На основе таких структур изготовлены детекторы рентгеновского излучения, работающие при комнатной температуре, с лучшим на сегодняшний день энергетическим разрешением, (менее 190 эВ при энергии 6 кэВ и менее 600 эВ при энергии 60 кэВ).