⇤ первая
« предыдущая
1
2
3
4
5
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 100
-
Год: 2011 Премия: Первая премия за лучшую научную работу Название: Двухуровневые системы и колебательные возмущения в стеклах Авторы: Бельтюков,ЯМ Подразделения: - сектор физической кинетики и электроакустических явлений (Бельтюкова,ЯМ)
-
Год: 2010 Премия: Третья премия за лучшую научную работу Название: Исследование транспорта носителей заряда в лазерных гетероструктурах методом катодолюминесценции Авторы: Шахмин,АА Подразделения: - лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ)
-
Год: 2010 Премия: Третья премия за лучшую научную работу Название: Технология каталитического нанокомпозита с повышенной эффективностью катализа для воздушно-водородных топливных элементов Авторы: Глебова,НВ;Терукова,ЕЕ Подразделения: - лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Год: 2010 Премия: Вторая премия за лучшую научную работу Название: Эволюция наноалмазов в межзвездной среде Авторы: Сиклицкая,АВ Подразделения: - лаб. фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Мынбаева,КД)
-
Год: 2010 Премия: Первая премия за лучшую научную работу Название: Оптическая дифракция в фотонных структурах на основе синтетических опалов Авторы: Самусев,АК;Синев,ИС Подразделения: - лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
-
Год: 2009 Премия: Премия за лучшую научную работу Название: Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs Авторы: Надточий,АМ; Шаталина,ЕС; Калюжный,НА; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Год: 2009 Премия: Премия за лучшую научную работу Название: Внутреннее устройство и локальные измерения потенциала работающих полупроводниковых приборов Авторы: Ладутенко,КС Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Год: 2009 Премия: Премия за лучшую научную работу Название: Квантование сверхтока и многократное андреевское отражение в наноструктурах сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник Авторы: Кудрявцев,АА Подразделения: - лаб. атомной радиоспектроскопии (Александрова,ЕБ)
-
Год: 2008 Премия: Премия за прикладную значимость Название: Явление самосвечения кристаллов, активированных редкоземельными ионами и радионуклидами Авторы: Домрачева,ЯВ Подразделения: - лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ)
-
Год: 2008 Премия: Премия за прикладную значимость Название: Портативный оптический анализатор содержания воды в нефти на основе оптоэлектронных пар среднего ИК диапазона Авторы: Калинина,КВ Подразделения: - лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
-
Год: 2008 Премия: Третья премия за лучшую научную работу Название: Исследование дефектообразования в карбиде кремния при ионной имплантации методом локальной катодолюминесценции Авторы: Шустов,ДБ Подразделения: - лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ)
-
Год: 2008 Премия: Третья премия за лучшую научную работу Название: Портативный оптический анализатор содержания воды в нефти на основе оптоэлектронных пар среднего ИК диапазона Авторы: Калинина,КВ Подразделения: - лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Ременного,МА)
-
Год: 2008 Премия: Вторая премия за лучшую научную работу Название: Явление самосвечения кристаллов, активированных редкоземельными ионами и радионуклидами Авторы: Домрачева,ЯВ Подразделения: - лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках (Заморянской,МВ)
-
Год: 2007 Премия: Премия за прикладную значимость Название: Новые материалы GaInAsPSb/GaSb(InAs) для оптоэлектронных устройств спектрального диапазона 3-4 мкм, работающих при 300 К Авторы: Гагис,ГС Подразделения: - лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
-
Год: 2007 Премия: Премия за прикладную значимость Название: Создание WGM лазеров для среднего ИК диапазона Авторы: Кислякова,АЮ Подразделения: - лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)
-
Год: 2007 Премия: Третья премия за лучшую научную работу Название: Новые материалы GaInAsPSb/GaSb(InAs) для оптоэлектронных устройств спектрального диапазона 3-5 мкм, работающих при 300 К Авторы: Гагис,ГС Подразделения: - лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС)
-
Год: 2007 Премия: Третья премия за лучшую научную работу Название: Спиновая динамика электронов, контролируемая спин-зависимой рекомбинацией, в твердых растворах GaAsN при комнатной температуре Авторы: Ширяев,АЮ Подразделения: -
Год: 2007 Премия: Вторая премия за лучшую научную работу Название: Селективное управление световыми потоками и резонансные стоп-зоны в синтетических опалах Авторы: Рыбин,МВ Подразделения: - лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
-
Год: 2007 Премия: Первая премия за лучшую научную работу Название: Резонансные фотонные кристаллы и квазикристаллы Авторы: Поддубный,АН Подразделения: - сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле (Тарасенко,СА)
-
Год: 2006 Премия: Третья премия за лучшую научную работу Название: Оптическая спектроскопия поверхности GaAs (001) Авторы: Гордеева,АБ Подразделения: - лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
⇤ первая
« предыдущая
1
2
3
4
5
следующая »
последняя ⇥