Название:Твердотельные терагерцовые эмиттеры на основе полупроводниковых пленок InAs и наноструктур в виде нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений А3В5
Грантодатель:Проекты минобрнауки
Научная дисциплина:информационные
Приоритетное направление:: переход к передовым цифровым, интеллектуальным производственным технологиям, роботизированным системам, новым материалам и спо
Тип:исследовательский
Руководитель(и):Трухин,ВН
Подразделения:
Код проекта:075-15-2021-998
Финансирование 2021 г.:10 000 000
В период с 23.09 по 31.12.2021 г. коллективом научных работников института выполнены исследования по Соглашению № 075-15-2021-998 от «23» сентября 2021 г., «Твердотельные терагерцовые эмиттеры на основе полупроводниковых пленок InAs и наноструктур в виде нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений А3В5»:
  • В ходе выполнения проекта созданы образцы эпитаксиальных пленок InAs, синтезированных на подложках легированного GaAs, и массивов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК) на основе полупроводниковых соединений А3В5 (GaAs, InAs) и проведены исследования процессов генерации терагерцового излучения в этих образцах при их возбуждении фемтосекундными оптическими импульсами.
  • Выполнены исследования эффективности ТГц генерации эмиттерами на основе эпитаксиальных пленок InAs и определена спектральная ширина ТГц излучения, излучаемая этими эмиттерами.
  • Выполнены исследования, в которых установлено влияние резонансного поглощения возбуждающего света в нитевидных нанокристаллах (резонансы Ми при поглощении в одиночном нанокристалле и резонансное поглощение в фотонном кристалле) на эффективность терагерцовой генерации. Установление механизмов этих процессов позволило выработать концепциюэффективного терагерцового эмиттера.
  • Определены оптимальные параметры как полупроводниковой структуры на основе эпитаксиальных пленок InAs, так и полупроводниковой наноструктуры на основе полупроводниковых нитевидных нанокристаллов для создания эффективного терагерцового излучателя.
  • Проведена разработка прототипа устройств терагерцового эмиттера на основе эпитаксиальных пленок InAs и полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, которые в дальнейшем могут быть использованы в качестве терагерцовых эмиттеров в терагерцовых спектрометрах с временным разрешением.
  • Результаты, полученные в ходе выполнения проекта, позволили получить новые фундаментальные знания о процессах генерации терагерцового излучения в эпитаксиальных пленках InAs и в полупроводниковых наноструктурах на основе ННК и могут быть использованы для разработки новых методов и устройств терагерцовой спектроскопии.