Название:	Исследование узкозонных полупроводниковых соединений с целью создания высокоэффективных термофотоэлектрических преобразователей.
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	08 - ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ ИНЖЕНЕРНЫХ НАУК
Научная дисциплина:	02-205 Нано- и микроструктуры
Ключевые слова:	эпигаксия, диффузия* фотоэлектрический преобразователь, термофотоэлектричество, антимонид галлия, арсенид индия, германий
Время действия проекта:	2012-2013
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Потапович,НС
Подразделения:	лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
Код проекта:	12-08-31039
Финансирование 2012 г.:	350000
Исполнители:	Контрош,ЕВ Марухина,ЕП: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Покровский,ПВ: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ) Чекалин,АВ

В предлагаемом проекте планируется разработка и создание нового продукта, не имеющего аналогов на российском рынке - термофотоэлектрического генератора на основе гетероструктурных фотоэлементов. В термофотоэлектрических системах тепловое излучение разогретого тела преобразуется с помощью фотоэлементов, чувствительных в инфракрасной области спектра, что дает возможность использовать в качестве источника энергии не только Солнце, но и газовое топливо (например, водород) при отсутствии света. В данной работе планируется провести исследование технологии жидкофазной эпитаксии для получения гетероструктурных фотоэлементов и нахождение условий оптимального легирования эпитаксиальных слоев, а также создать фотоэлектрические преобразователи на основе узкозонных соединений (Ge, GaSb, InAs), предназначенные для работы под излучением высокой плотности. Результатом работы будет создание и исследование прототипа солнечной термофотоэлектрической системы.