Название:Исследование узкозонных полупроводниковых соединений с целью создания высокоэффективных термофотоэлектрических преобразователей.
Грантодатель:РФФИ
Область знаний:08 - ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ ИНЖЕНЕРНЫХ НАУК
Научная дисциплина:02-205 Нано- и микроструктуры
Ключевые слова:эпигаксия, диффузия* фотоэлектрический преобразователь, термофотоэлектричество, антимонид галлия, арсенид индия, германий
Время действия проекта:2012-2013
Тип:исследовательский
Руководитель(и):Потапович,НС
Подразделения:
Код проекта:12-08-31039
Финансирование 2012 г.:350000
Исполнители: Контрош,ЕВ: None
Марухина,ЕП: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
Покровский,ПВ: лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
Чекалин,АВ : None
В предлагаемом проекте планируется разработка и создание нового продукта, не имеющего аналогов на российском рынке - термофотоэлектрического генератора на основе гетероструктурных фотоэлементов. В термофотоэлектрических системах тепловое излучение разогретого тела преобразуется с помощью фотоэлементов, чувствительных в инфракрасной области спектра, что дает возможность использовать в качестве источника энергии не только Солнце, но и газовое топливо (например, водород) при отсутствии света. В данной работе планируется провести исследование технологии жидкофазной эпитаксии для получения гетероструктурных фотоэлементов и нахождение условий оптимального легирования эпитаксиальных слоев, а также создать фотоэлектрические преобразователи на основе узкозонных соединений (Ge, GaSb, InAs), предназначенные для работы под излучением высокой плотности. Результатом работы будет создание и исследование прототипа солнечной термофотоэлектрической системы.