| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Заселение уровней Er3+ в кристаллахLiY1-xErxF4(x=0,003-1) при непрерывной накачке излучением InGaAs-лазерных диодов
2000
, Оптич. ж., т.67, 9
ISSN: 0030-4042
Страницы:
90 - 93
Авторы:Ткачук,АМ; Разумова,ИК; Мирзаева,АА; Малышев,АВ; Гапонцев,ВП
Авторы (ФТИ):Малышев,АВ
Авторы:Ткачук,АМ; Разумова,ИК; Мирзаева,АА; Малышев,АВ; Гапонцев,ВП
Авторы (ФТИ):Малышев,АВ