| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Polarization memory in band edge luminescence from free standing gallium nitride
2000
, Mater. Sci. Forum, v.338
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Research Triangle Park, North Carolina, USA, Oct. 10-15, 1999
ISSN: 0255-5476 ISBN: 0-87849-854-0
В книге (сборнике):
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1&2
Страницы:
1587 - 1590
Авторы:Kompan,ME; Raevki,SD; Safronov,IN; Shabanov,IY; Zhilyaev,YV
Авторы (ФТИ):Kompan,ME; Shabanov,IY; Zhilyaev,YV
Подразделения: Scopus® times cited:0 Scopus® ID:2-s2.0-0033723514 Web of Science® times cited:0 Web of Science® ID:WOS:000165996700385
Полный текст:http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.1587
Авторы:Kompan,ME; Raevki,SD; Safronov,IN; Shabanov,IY; Zhilyaev,YV
Авторы (ФТИ):Kompan,ME; Shabanov,IY; Zhilyaev,YV
Подразделения: Scopus® times cited:0 Scopus® ID:2-s2.0-0033723514 Web of Science® times cited:0 Web of Science® ID:WOS:000165996700385
Полный текст:http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.1587