| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Anisotropy of Optoelectronic Properties and Atomic Ordering in CdGeAs2
2000
, Jpn. J. Appl. Phys., v.39, Suppl. 39-1
12th Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds, R.O.C., 2000
ISSN: 0021-4922
Страницы:
353 - 354
Авторы:Bairamov,BH; Polushina,IK; Rud`,VYu; Rud`,YuV; Schunemann,PG; Fernelius,N; Ohmer,MC; Irmer,G; Monecke,J
Авторы (ФТИ):Bairamov,BH; Polushina,IK; Rud`,YuV
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.7567/JJAPS.39S1.353 Web of Science® times cited:0 Web of Science® ID:WOS:000209019800126
Полный текст:http://dx.doi.org/10.7567/JJAPS.39S1.353
Авторы:Bairamov,BH; Polushina,IK; Rud`,VYu; Rud`,YuV; Schunemann,PG; Fernelius,N; Ohmer,MC; Irmer,G; Monecke,J
Авторы (ФТИ):Bairamov,BH; Polushina,IK; Rud`,YuV
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.7567/JJAPS.39S1.353 Web of Science® times cited:0 Web of Science® ID:WOS:000209019800126
Полный текст:http://dx.doi.org/10.7567/JJAPS.39S1.353