| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Chloride vapor-phase epitaxy of gallium nitride on silicon: Effect of a silicon carbide interlayer
2008
, Tech. Phys. Lett., v.34, 6
ISSN: 1063-7850
Страницы:
479 - 482
Авторы:Aksyanov,IG; Bessolov,VN; Zhilyaev,YV; Kompan,ME; Konenkova,EV; Kukushkin,SA; Osipov,AV; Rodin,SN; Feoktistov,NA; Sharofidinov,S; Shcheglov,MP
Авторы (ФТИ):Aksyanov,IG; Bessolov,VN; Zhilyaev,YV; Kompan,ME; Konenkova,EV; Kukushkin,SA; Osipov,AV; Rodin,SN; Feoktistov,NA; Shcheglov,MP
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1134/S1063785008060084 Scopus® times cited:18 Scopus® ID:2-s2.0-46749117982 Web of Science® times cited:19 Web of Science® ID:WOS:000257384300008
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S1063785008060084
Авторы:Aksyanov,IG; Bessolov,VN; Zhilyaev,YV; Kompan,ME; Konenkova,EV; Kukushkin,SA; Osipov,AV; Rodin,SN; Feoktistov,NA; Sharofidinov,S; Shcheglov,MP
Авторы (ФТИ):Aksyanov,IG; Bessolov,VN; Zhilyaev,YV; Kompan,ME; Konenkova,EV; Kukushkin,SA; Osipov,AV; Rodin,SN; Feoktistov,NA; Shcheglov,MP
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1134/S1063785008060084 Scopus® times cited:18 Scopus® ID:2-s2.0-46749117982 Web of Science® times cited:19 Web of Science® ID:WOS:000257384300008
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S1063785008060084