Mechanism of electroluminescence in the amorphous silicon-based erbium-doped structures

Web of Science®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	25425
Цитируемость
суммарная	326761
на статью	12,9
Индекс Хирша	169
G-индекс	286

Scopus®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	28655
Цитируемость
суммарная	364193
на статью	12,7
Индекс Хирша	180
G-индекс	304

Mechanism of electroluminescence in the amorphous silicon-based erbium-doped structures
2001 , Mater. Sci. Eng. B-Solid State Mater. Adv. Technol., v.81, 1-3
ISSN: 0921-5107

Страницы: 182 - 184
Авторы:Yassievich,IN; Bresler,MS; Gusev,OB; Pak,PE; Tsendin,KD; Terukov,EI
Авторы (ФТИ):Yassievich,IN; Bresler,MS; Gusev,OB; Pak,PE; Tsendin,KD; Terukov,EI
Подразделения:

сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)
лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
лаб. фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Мынбаева,КД)

DOI:http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(00)00733-9 Scopus® times cited:1 Scopus® ID:2-s2.0-0035942414 Web of Science® times cited:1 Web of Science® ID:WOS:000168392800048
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(00)00733-9