| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Raman scattering in self-formed nanoporous carbon produced on the basis of silicon carbide
2011
, Semiconductors, v.45, 3
ISSN: 1063-7826
Страницы:
306 - 311
Авторы:Kompan,ME; Krylov,DS; Sokolov,VV
Авторы (ФТИ):Kompan,ME; Sokolov,VV
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782611030146 Scopus® times cited:4 Scopus® ID:2-s2.0-79955036407 Web of Science® times cited:4 Web of Science® ID:WOS:000289573000007
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782611030146
Авторы:Kompan,ME; Krylov,DS; Sokolov,VV
Авторы (ФТИ):Kompan,ME; Sokolov,VV
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782611030146 Scopus® times cited:4 Scopus® ID:2-s2.0-79955036407 Web of Science® times cited:4 Web of Science® ID:WOS:000289573000007
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S1063782611030146