| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Excitation cross-section of erbium in semiconductor matrices under optical pumping
2002
, Solid State Phenom., v.82-84
9th Int. Conference on Gettering anf Defect Engineering in Semiconductor Technology , S. Tecla, Italy
ISSN: 1012-0394
В книге (сборнике):
Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology IX
Страницы:
651 - 656
Авторы:Gusev,OB; Bresler,MS; Pak,PE; Yassievich,IN; Forcales,M; Vinh,NQ; Gregorkiewicz,T
Авторы (ФТИ):Gusev,OB; Bresler,MS; Pak,PE; Yassievich,IN
Подразделения: Scopus® times cited:0 Scopus® ID:2-s2.0-0036131579 Web of Science® times cited:0 Web of Science® ID:WOS:000172421600103
Полный текст:http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.82-84.651
Авторы:Gusev,OB; Bresler,MS; Pak,PE; Yassievich,IN; Forcales,M; Vinh,NQ; Gregorkiewicz,T
Авторы (ФТИ):Gusev,OB; Bresler,MS; Pak,PE; Yassievich,IN
Подразделения: Scopus® times cited:0 Scopus® ID:2-s2.0-0036131579 Web of Science® times cited:0 Web of Science® ID:WOS:000172421600103
Полный текст:http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.82-84.651