| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Dependence of GaN photoluminescence on the excitation intensity
2002
, Semiconductors, v.36, 10
ISSN: 1063-7826
Страницы:
1128 - 1131
Авторы:Bessolov,VN; Evstropov,VV; Kompan,ME; Mesh,MV
Авторы (ФТИ):Bessolov,VN; Evstropov,VV; Kompan,ME; Mesh,MV
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1134/1.1513856 Scopus® times cited:4 Scopus® ID:2-s2.0-0036808390 Web of Science® times cited:4 Web of Science® ID:WOS:000178316300011
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/1.1513856
Авторы:Bessolov,VN; Evstropov,VV; Kompan,ME; Mesh,MV
Авторы (ФТИ):Bessolov,VN; Evstropov,VV; Kompan,ME; Mesh,MV
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1134/1.1513856 Scopus® times cited:4 Scopus® ID:2-s2.0-0036808390 Web of Science® times cited:4 Web of Science® ID:WOS:000178316300011
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/1.1513856