High-temperature annealing of bulk GaN layers
2002 , Tech. Phys. Lett., v.28, 12
ISSN: 1063-7850

Страницы: 994 - 996
Авторы:Bessolov,VN; Zhilyaev,YV; Kompan,ME; Konenkova,EV; Kukushkin,SA; Mesh,MV; Raevskii,SD; Fradkov,AL; Fedirko,VA
Авторы (ФТИ):Bessolov,VN; Zhilyaev,YV; Kompan,ME; Konenkova,EV; Kukushkin,SA; Mesh,MV
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1134/1.1535513 Scopus® times cited:5 Scopus® ID:2-s2.0-0036953592 Web of Science® times cited:4 Web of Science® ID:WOS:000179879900009
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/1.1535513