Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(1011) на подложке Si(100)

Web of Science®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	25425
Цитируемость
суммарная	326761
на статью	12,9
Индекс Хирша	169
G-индекс	286

Scopus®
ФТИ в 2000–24 гг.
Статей	28655
Цитируемость
суммарная	364193
на статью	12,7
Индекс Хирша	180
G-индекс	304

Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(1011) на подложке Si(100)
2019 , Письма ЖТФ, т.45, 11
ISSN: 0320-0116

Страницы: 3 - 5
Авторы:Бессолов,ВН; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Пантелеев,ВН; Родин,СН; Щеглов,МП
Авторы (ФТИ):Бессолов,ВН; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Пантелеев,ВН; Родин,СН; Щеглов,МП
Подразделения:

лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)
лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)

DOI:http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2019.11.47813.17756
Полный текст:http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2019.11.47813.17756