UP-конверсия и заселение возбужденных уровней иона эрбия в кристаллах LiY1-xErxF4 (x=0.003-1) при непрерывной накачке облучением InGaAs-лазерных диодов
2002
, Оптика спектроск., т.92, 1
ISSN: 0030-4034
Страницы:
73 - 88
Авторы:Ткачук,АМ; Разумова,ИК; Мирзаева,АА; Малышев,АВ; Гапонцев,ВП
Авторы (ФТИ):Малышев,АВ
Авторы:Ткачук,АМ; Разумова,ИК; Мирзаева,АА; Малышев,АВ; Гапонцев,ВП
Авторы (ФТИ):Малышев,АВ















