| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–24 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Epitaxy of GaN(0001) and GaN(1011) Layers on Si(100) Substrate
2019
, Tech. Phys. Lett., v.45, 6
ISSN: 1063-7850
Страницы:
529 - 532
Авторы:Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Panteleev,VN; Rodin,SN; Shcheglov,MP
Авторы (ФТИ):Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Panteleev,VN; Rodin,SN; Shcheglov,MP
Подразделения:
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S106378501906004X
Авторы:Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Panteleev,VN; Rodin,SN; Shcheglov,MP
Авторы (ФТИ):Bessolov,VN; Kompan,ME; Konenkova,EV; Panteleev,VN; Rodin,SN; Shcheglov,MP
Подразделения:
- лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
- лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
- лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)
- лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1134/S106378501906004X