| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 24970 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 322324 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 285 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 28003 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 345495 |
| на статью | 12,3 |
| Индекс Хирша | 177 |
| G-индекс | 295 |
Fabrication and characterization of n-ZnO/p-AlGaN heterojunction light-emitting diodes on 6H-SiC substrates
2003
, Appl. Phys. Lett., v.83, 23
ISSN: 0003-6951
Страницы:
4719 - 4721
Авторы:Alivov,YI; Kalinina,EV; Cherenkov,AE; Look,DC; Ataev,BM; Omaev,AK; Chukichev,MV; Bagnall,DM
Авторы (ФТИ):Kalinina,EV; Cherenkov,AE
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1063/1.1632537 Scopus® times cited:485 Scopus® ID:2-s2.0-0346910469 Web of Science® times cited:442 Web of Science® ID:WOS:000186970200011
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1063/1.1632537
Авторы:Alivov,YI; Kalinina,EV; Cherenkov,AE; Look,DC; Ataev,BM; Omaev,AK; Chukichev,MV; Bagnall,DM
Авторы (ФТИ):Kalinina,EV; Cherenkov,AE
Подразделения: DOI:http://dx.doi.org/10.1063/1.1632537 Scopus® times cited:485 Scopus® ID:2-s2.0-0346910469 Web of Science® times cited:442 Web of Science® ID:WOS:000186970200011
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1063/1.1632537