Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
2020
, Письма ЖТФ, т.46, 8
ISSN: 0320-0116
Страницы:
29 - 31
Авторы:Бессолов,ВН; Грузинов,НД; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Пантелеев,ВН; Родин,СН; Щеглов,МП
Авторы (ФТИ):Бессолов,ВН; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Пантелеев,ВН; Родин,СН; Щеглов,МП
Подразделения:
Полный текст:http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.08.49305.18215
Авторы:Бессолов,ВН; Грузинов,НД; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Пантелеев,ВН; Родин,СН; Щеглов,МП
Авторы (ФТИ):Бессолов,ВН; Компан,МЕ; Коненкова,ЕВ; Пантелеев,ВН; Родин,СН; Щеглов,МП
Подразделения:
- лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)
- лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
- лаб. дифракционных методов исследования реальной структуры кристаллов (Аргуновой,ТС)
- лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)
Полный текст:http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.08.49305.18215















